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BSZ013NE2LS5IATMA1

功能描述：MOSFET N-CH 25V 32A 8SON

制造商：infineon technologies

系列：OptiMOS??

包装：带卷（TR）

零件状态：有效

FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能：标准

漏源极电压（Vdss）：25V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：32A（Ta），40A（Tc）

不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）：1.3 毫欧 @ 20A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：2V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）：50nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）：3400pF @ 12V

功率 - 最大值：2.1W

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装

封装/外壳：8-PowerTDFN

供应商器件封装：PG-TSDSON-8-FL（3.3x3.3）

标准包装：5,000

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